Bant genişliği, IOPS ve verimlilik karşılaştırması: Samsung, yapay zekâ uygulamaları için üç yeni NAND depolama türü geliştiriyor
Güney Koreli teknoloji yayını Zdnet, sektör kaynaklarına dayanarak Samsung Electronics'in uygulamaya özel üç yeni NAND depolama sistemi geliştirdiğini bildiriyor. Samsung şimdiye kadar yalnızca ilk varyant olan zNAND-O'yu resmen duyurdu, ancak Zdnet'e göre şirket iki tür üzerinde daha çalışıyor. İşte üç varyantın tamamı:
zNAND-O – Cihaz üzerinde yapay zeka için verimlilik
Bu bellek türü, özellikle yerel yapay zekâ uygulamaları için tasarlanmıştır. Veri yollarını kısaltmak ve hız ile enerji verimliliğini artırmak için NAND çipleri dört veya sekiz katman halinde üst üste yerleştirilir ve TSV (silikon içinden geçen bağlantı) bağlantılarıyla birbirine bağlanır. Bu durumda performans, verimlilikten biraz daha az önemlidir; çünkü yapay zekâ uygulamalarının mümkün olduğunca az güç tüketerek yerel olarak çalışması amaçlanmaktadır.
zNAND-T – Maksimum veri bant genişliği
Bu varyant daha çok yüksek performanslı yapay zeka veri merkezlerini hedefliyor, bu nedenle flash bellek, birim zamanda özellikle büyük miktarda veriyi işlemek üzere tasarlanmış. Buradaki temel terimlerden biri High Bandwidth Flash (HBF). Nihai amaç, büyük hacimli verileri mümkün olduğunca hızlı aktarmak.
zNAND-I – Olağanüstü yüksek giriş/çıkış işlem hızları
Bu varyant, özellikle yüksek IOPS değerlerine, yani saniye başına giriş/çıkış işlemi sayısına odaklanır. Bu, çok sayıda küçük veri erişiminin hızla işlenmesi gereken yapay zekâ çıkarımı için özellikle önemlidir.
Şimdiye kadar yalnızca zNAND-O kamuoyuna tanıtıldı. Diğer iki sistem henüz resmen doğrulanmadı ve hâlâ geliştirmenin ilk aşamalarında.
Samsung bu hamlesiyle, üç özel NAND türü üzerinde de çalışan rakibi SK Hynix'in stratejisini izliyor. Uzun vadede bu yaklaşım, yapay zekâ depolama pazarındaki rekabeti yoğunlaştırabilir ve NAND flash'ın rolünü geleneksel SSD uygulamalarının ötesine taşıyabilir.
Add as a preferred source on Google
